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SiE822DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
T J = 150 °C
0.00 8
0.007
0.006
I D = 1 8 .3 A
10
1
T J = 25 °C
0.005
0.004
0.003
0.002
T A = 125 °C
T A = 25 °C
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0. 8 0.9 1.0 1.1
2
4
6
8
10
3.0
2. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
2.6
2.4
2.2
I D = 250 μ A
40
30
2.0
20
1. 8
1.6
1.4
1.2
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
1 ms
10
10 ms
100 ms
1
1s
0.1
0.01
T A = 25 C
Single P u lse
B V DSS
Limited
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74451
S09-1338-Rev. B, 13-Jul-09
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